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Artigo de periodico
Isothermal annealing of a 620 nm optical absorption band in Brazilian topaz crystals (2013)
Isotani, Sadao; Albuquerque, Antonio Roberto Pereira Leite de; Matsuoka, Masao
Source: PHYSICA B-CONDENSED MATTER. Unidade: IF
Subjects: TERMOLUMINESCÊNCIA, CINÉTICA, LUMINESCÊNCIA
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ABNT
ISOTANI, Sadao e ALBUQUERQUE, Antonio Roberto Pereira Leite de e MATSUOKA, Masao. Isothermal annealing of a 620 nm optical absorption band in Brazilian topaz crystals. PHYSICA B-CONDENSED MATTER, v. 415, p. 38-43, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2013.01.040. Acesso em: 02 maio 2024.
APA
Isotani, S., Albuquerque, A. R. P. L. de, & Matsuoka, M. (2013). Isothermal annealing of a 620 nm optical absorption band in Brazilian topaz crystals. PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 415, 38-43. doi:10.1016/j.physb.2013.01.040
NLM
Isotani S, Albuquerque ARPL de, Matsuoka M. Isothermal annealing of a 620 nm optical absorption band in Brazilian topaz crystals [Internet]. PHYSICA B-CONDENSED MATTER. 2013 ; 415 38-43.[citado 2024 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2013.01.040
Vancouver
Isotani S, Albuquerque ARPL de, Matsuoka M. Isothermal annealing of a 620 nm optical absorption band in Brazilian topaz crystals [Internet]. PHYSICA B-CONDENSED MATTER. 2013 ; 415 38-43.[citado 2024 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2013.01.040
Trabalho de evento-anais periodico
Chemical bonding and composition of silicon nitride films prepared by inductively coupled plasma chemical vapor deposition (2010)
Matsuoka, Masao; Isotani, Sadao; Mamani, Wilmer Alexe Sucasaire; Zambom, Luís da Silva ; Ogata, Katsuhiko
Source: Surface & Coatings Technology. Conference titles: International Workshop on Plasma-Based Ion Implantation and Deposition. Unidades: IF, EP
Assunto: ESPECTROSCOPIA DE RAIO X
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ABNT
MATSUOKA, Masao et al. Chemical bonding and composition of silicon nitride films prepared by inductively coupled plasma chemical vapor deposition. Surface & Coatings Technology. Amsterdam: Elsevier Science. Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science/journal/02578972. Acesso em: 02 maio 2024. , 2010
APA
Matsuoka, M., Isotani, S., Mamani, W. A. S., Zambom, L. da S., & Ogata, K. (2010). Chemical bonding and composition of silicon nitride films prepared by inductively coupled plasma chemical vapor deposition. Surface & Coatings Technology. Amsterdam: Elsevier Science. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science/journal/02578972
NLM
Matsuoka M, Isotani S, Mamani WAS, Zambom L da S, Ogata K. Chemical bonding and composition of silicon nitride films prepared by inductively coupled plasma chemical vapor deposition [Internet]. Surface & Coatings Technology. 2010 ; 204 18-19.[citado 2024 maio 02 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/journal/02578972
Vancouver
Matsuoka M, Isotani S, Mamani WAS, Zambom L da S, Ogata K. Chemical bonding and composition of silicon nitride films prepared by inductively coupled plasma chemical vapor deposition [Internet]. Surface & Coatings Technology. 2010 ; 204 18-19.[citado 2024 maio 02 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/journal/02578972
Artigo de periodico
X-ray photoelectron spectroscopy analysis of zirconium nitride-like filmsprepared on Si(100) substrates by ion beam assisted deposition (2008)
Matsuoka, Masao; Isotani, Sadao; Mamani, Wilmer Alexe Sucasaire; Kuratani, N; Ogata, K
Source: Surface and Coatings Technology. Unidade: IF
Subjects: FILMES FINOS, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
MATSUOKA, Masao et al. X-ray photoelectron spectroscopy analysis of zirconium nitride-like filmsprepared on Si(100) substrates by ion beam assisted deposition. Surface and Coatings Technology, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2007.11.019. Acesso em: 02 maio 2024.
APA
Matsuoka, M., Isotani, S., Mamani, W. A. S., Kuratani, N., & Ogata, K. (2008). X-ray photoelectron spectroscopy analysis of zirconium nitride-like filmsprepared on Si(100) substrates by ion beam assisted deposition. Surface and Coatings Technology. doi:10.1016/j.surfcoat.2007.11.019
NLM
Matsuoka M, Isotani S, Mamani WAS, Kuratani N, Ogata K. X-ray photoelectron spectroscopy analysis of zirconium nitride-like filmsprepared on Si(100) substrates by ion beam assisted deposition [Internet]. Surface and Coatings Technology. 2008 ;[citado 2024 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2007.11.019
Vancouver
Matsuoka M, Isotani S, Mamani WAS, Kuratani N, Ogata K. X-ray photoelectron spectroscopy analysis of zirconium nitride-like filmsprepared on Si(100) substrates by ion beam assisted deposition [Internet]. Surface and Coatings Technology. 2008 ;[citado 2024 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2007.11.019
Artigo de periodico
Effects of arrival rate and gas pressure on the chemical bonding and composition in titanium nitride films prepared on Si(100) substrates by ion beam and vapor deposition (2005)
Matsuoka, Masao; Isotani, Sadao; Mittani, Juan Carlos Ramirez; Chubaci, Jose Fernando Diniz; Ogata, K; Kuratani, N
Source: Journal of Vacuum Science & Technology A. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, ESPECTROSCOPIA DE RAIO X, VÁCUO
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ABNT
MATSUOKA, Masao et al. Effects of arrival rate and gas pressure on the chemical bonding and composition in titanium nitride films prepared on Si(100) substrates by ion beam and vapor deposition. Journal of Vacuum Science & Technology A, v. 23, n. 1, p. 137-141, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1116/1.1839895. Acesso em: 02 maio 2024.
APA
Matsuoka, M., Isotani, S., Mittani, J. C. R., Chubaci, J. F. D., Ogata, K., & Kuratani, N. (2005). Effects of arrival rate and gas pressure on the chemical bonding and composition in titanium nitride films prepared on Si(100) substrates by ion beam and vapor deposition. Journal of Vacuum Science & Technology A, 23( 1), 137-141. doi:10.1116/1.1839895
NLM
Matsuoka M, Isotani S, Mittani JCR, Chubaci JFD, Ogata K, Kuratani N. Effects of arrival rate and gas pressure on the chemical bonding and composition in titanium nitride films prepared on Si(100) substrates by ion beam and vapor deposition [Internet]. Journal of Vacuum Science & Technology A. 2005 ; 23( 1): 137-141.[citado 2024 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1116/1.1839895
Vancouver
Matsuoka M, Isotani S, Mittani JCR, Chubaci JFD, Ogata K, Kuratani N. Effects of arrival rate and gas pressure on the chemical bonding and composition in titanium nitride films prepared on Si(100) substrates by ion beam and vapor deposition [Internet]. Journal of Vacuum Science & Technology A. 2005 ; 23( 1): 137-141.[citado 2024 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1116/1.1839895
Trabalho de evento-resumo
Estudo de ligações químicas entre carbono, nitrogênio e oxigênio nos filmes de nitreto de carbono produzidos por RF magnetron sputtering reativo (2003)
Matsuoka, Masao; Mittani, Juan C; Lopes, Karina C; Isotani, Sadao; Pinto, Ricardo C; Mansano, Ronaldo Domingues
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF
Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA, FILMES FINOS
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ABNT
MATSUOKA, Masao et al. Estudo de ligações químicas entre carbono, nitrogênio e oxigênio nos filmes de nitreto de carbono produzidos por RF magnetron sputtering reativo. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 02 maio 2024.
APA
Matsuoka, M., Mittani, J. C., Lopes, K. C., Isotani, S., Pinto, R. C., & Mansano, R. D. (2003). Estudo de ligações químicas entre carbono, nitrogênio e oxigênio nos filmes de nitreto de carbono produzidos por RF magnetron sputtering reativo. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Matsuoka M, Mittani JC, Lopes KC, Isotani S, Pinto RC, Mansano RD. Estudo de ligações químicas entre carbono, nitrogênio e oxigênio nos filmes de nitreto de carbono produzidos por RF magnetron sputtering reativo. Resumos. 2003 ;[citado 2024 maio 02 ]
Vancouver
Matsuoka M, Mittani JC, Lopes KC, Isotani S, Pinto RC, Mansano RD. Estudo de ligações químicas entre carbono, nitrogênio e oxigênio nos filmes de nitreto de carbono produzidos por RF magnetron sputtering reativo. Resumos. 2003 ;[citado 2024 maio 02 ]
Trabalho de evento-resumo
Efeitos de "arrival rate" e de pressão de gás na composição de filmes de nitreto de titânio preparados com deposição assistida por feixe de íons (2001)
Matsuoka, Masao; Isotani, Sadao; Chubaci, Jose Fernando Diniz; Lopes, Karina Carvalho; Watanabe, S.; Ogata, Kiyoshi
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SUPERCONDUTIVIDADE, ÍONS, ESPECTROSCOPIA DE RAIO X, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
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ABNT
MATSUOKA, Masao et al. Efeitos de "arrival rate" e de pressão de gás na composição de filmes de nitreto de titânio preparados com deposição assistida por feixe de íons. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 02 maio 2024.
APA
Matsuoka, M., Isotani, S., Chubaci, J. F. D., Lopes, K. C., Watanabe, S., & Ogata, K. (2001). Efeitos de "arrival rate" e de pressão de gás na composição de filmes de nitreto de titânio preparados com deposição assistida por feixe de íons. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Matsuoka M, Isotani S, Chubaci JFD, Lopes KC, Watanabe S, Ogata K. Efeitos de "arrival rate" e de pressão de gás na composição de filmes de nitreto de titânio preparados com deposição assistida por feixe de íons. Resumos. 2001 ;[citado 2024 maio 02 ]
Vancouver
Matsuoka M, Isotani S, Chubaci JFD, Lopes KC, Watanabe S, Ogata K. Efeitos de "arrival rate" e de pressão de gás na composição de filmes de nitreto de titânio preparados com deposição assistida por feixe de íons. Resumos. 2001 ;[citado 2024 maio 02 ]
Artigo de periodico
Influence of ion energy and arrival rate on x-ray crystallographic properties of thin Zr'O IND.X' films prepared on Si(111) substrate by ion-beam assisted deposition (2000)
Matsuoka, Masao; Isotani, Sadao; Chubaci, Jose Fernando Diniz; Miyake, S; Setsuhara, Y; Ogata, K; Kuratani, N
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
MATSUOKA, Masao et al. Influence of ion energy and arrival rate on x-ray crystallographic properties of thin Zr'O IND.X' films prepared on Si(111) substrate by ion-beam assisted deposition. Journal of Applied Physics, v. 88, n. 6, p. 3773-3775, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1286108. Acesso em: 02 maio 2024.
APA
Matsuoka, M., Isotani, S., Chubaci, J. F. D., Miyake, S., Setsuhara, Y., Ogata, K., & Kuratani, N. (2000). Influence of ion energy and arrival rate on x-ray crystallographic properties of thin Zr'O IND.X' films prepared on Si(111) substrate by ion-beam assisted deposition. Journal of Applied Physics, 88( 6), 3773-3775. doi:10.1063/1.1286108
NLM
Matsuoka M, Isotani S, Chubaci JFD, Miyake S, Setsuhara Y, Ogata K, Kuratani N. Influence of ion energy and arrival rate on x-ray crystallographic properties of thin Zr'O IND.X' films prepared on Si(111) substrate by ion-beam assisted deposition [Internet]. Journal of Applied Physics. 2000 ; 88( 6): 3773-3775.[citado 2024 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1286108
Vancouver
Matsuoka M, Isotani S, Chubaci JFD, Miyake S, Setsuhara Y, Ogata K, Kuratani N. Influence of ion energy and arrival rate on x-ray crystallographic properties of thin Zr'O IND.X' films prepared on Si(111) substrate by ion-beam assisted deposition [Internet]. Journal of Applied Physics. 2000 ; 88( 6): 3773-3775.[citado 2024 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1286108
Trabalho de evento-resumo
Propriedades de filmes finos de Zr-N preparados com ion-beam assisted deposition (1997)
Matsuoka, Masao; Isotani, Sadao; Chubaci, José Fernando Diniz; Watanabe, S.; Kuratani, Naoto; Ogata, Kiyoshi
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MATSUOKA, Masao et al. Propriedades de filmes finos de Zr-N preparados com ion-beam assisted deposition. 1997, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1997. . Acesso em: 02 maio 2024.
APA
Matsuoka, M., Isotani, S., Chubaci, J. F. D., Watanabe, S., Kuratani, N., & Ogata, K. (1997). Propriedades de filmes finos de Zr-N preparados com ion-beam assisted deposition. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Matsuoka M, Isotani S, Chubaci JFD, Watanabe S, Kuratani N, Ogata K. Propriedades de filmes finos de Zr-N preparados com ion-beam assisted deposition. Resumos. 1997 ;[citado 2024 maio 02 ]
Vancouver
Matsuoka M, Isotani S, Chubaci JFD, Watanabe S, Kuratani N, Ogata K. Propriedades de filmes finos de Zr-N preparados com ion-beam assisted deposition. Resumos. 1997 ;[citado 2024 maio 02 ]
Artigo de periodico
Effects of ion energy and arrival rate on the composition of zirconium oxide films prepared by ion-beam assisted deposition (1996)
Matsuoka, Masao; Isotani, S; Miyake, S; Setsuhara, Y; Ogata, K; Kuratani, N
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MATSUOKA, Masao et al. Effects of ion energy and arrival rate on the composition of zirconium oxide films prepared by ion-beam assisted deposition. Journal of Applied Physics, v. 80, n. 2 , p. 1177, 1996Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.362855. Acesso em: 02 maio 2024.
APA
Matsuoka, M., Isotani, S., Miyake, S., Setsuhara, Y., Ogata, K., & Kuratani, N. (1996). Effects of ion energy and arrival rate on the composition of zirconium oxide films prepared by ion-beam assisted deposition. Journal of Applied Physics, 80( 2 ), 1177. doi:10.1063/1.362855
NLM
Matsuoka M, Isotani S, Miyake S, Setsuhara Y, Ogata K, Kuratani N. Effects of ion energy and arrival rate on the composition of zirconium oxide films prepared by ion-beam assisted deposition [Internet]. Journal of Applied Physics. 1996 ;80( 2 ): 1177.[citado 2024 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.362855
Vancouver
Matsuoka M, Isotani S, Miyake S, Setsuhara Y, Ogata K, Kuratani N. Effects of ion energy and arrival rate on the composition of zirconium oxide films prepared by ion-beam assisted deposition [Internet]. Journal of Applied Physics. 1996 ;80( 2 ): 1177.[citado 2024 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.362855
Trabalho de evento-resumo
Efeito de energia de ion e razao de transporte na composicao de filmes de oxido de zirconio preparados com ion-beam assisted deposition (1996)
Matsuoka, Masao; Isotani, S; Miyake, S; Setsuhara, Y; Ogata, K; Kuratani, N
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MATSUOKA, Masao et al. Efeito de energia de ion e razao de transporte na composicao de filmes de oxido de zirconio preparados com ion-beam assisted deposition. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 02 maio 2024.
APA
Matsuoka, M., Isotani, S., Miyake, S., Setsuhara, Y., Ogata, K., & Kuratani, N. (1996). Efeito de energia de ion e razao de transporte na composicao de filmes de oxido de zirconio preparados com ion-beam assisted deposition. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Matsuoka M, Isotani S, Miyake S, Setsuhara Y, Ogata K, Kuratani N. Efeito de energia de ion e razao de transporte na composicao de filmes de oxido de zirconio preparados com ion-beam assisted deposition. Resumos. 1996 ;[citado 2024 maio 02 ]
Vancouver
Matsuoka M, Isotani S, Miyake S, Setsuhara Y, Ogata K, Kuratani N. Efeito de energia de ion e razao de transporte na composicao de filmes de oxido de zirconio preparados com ion-beam assisted deposition. Resumos. 1996 ;[citado 2024 maio 02 ]
Trabalho de evento-resumo
Efeito da energia de ions de oxigenio na formacao de filmes finos de oxido de zirconio com metodo de ion and vapor deposition (1995)
Matsuoka, Masao; Isotani, S; Chubaci, J F D; Watanabe, S.; Kuratani, N; Ogata, K; Setsuhara, Y; Miyake, S
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATERIA CONDENSADA (PROPRIEDADES TÉRMICAS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MATSUOKA, Masao et al. Efeito da energia de ions de oxigenio na formacao de filmes finos de oxido de zirconio com metodo de ion and vapor deposition. 1995, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1995. . Acesso em: 02 maio 2024.
APA
Matsuoka, M., Isotani, S., Chubaci, J. F. D., Watanabe, S., Kuratani, N., Ogata, K., et al. (1995). Efeito da energia de ions de oxigenio na formacao de filmes finos de oxido de zirconio com metodo de ion and vapor deposition. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Matsuoka M, Isotani S, Chubaci JFD, Watanabe S, Kuratani N, Ogata K, Setsuhara Y, Miyake S. Efeito da energia de ions de oxigenio na formacao de filmes finos de oxido de zirconio com metodo de ion and vapor deposition. Resumos. 1995 ;[citado 2024 maio 02 ]
Vancouver
Matsuoka M, Isotani S, Chubaci JFD, Watanabe S, Kuratani N, Ogata K, Setsuhara Y, Miyake S. Efeito da energia de ions de oxigenio na formacao de filmes finos de oxido de zirconio com metodo de ion and vapor deposition. Resumos. 1995 ;[citado 2024 maio 02 ]

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